2Т316Б(Au)

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные. 

Предназначены для применения в усилителях высокой частоты (2Т316Г, 2Т316Д, КТ316Г, КТ316Д) и переключающих устройствах (2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316А-5, КТ316А, КТ316Б, КТ316В). 

Выпускаются: 

   - в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами (2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д, КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д); 

   - в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов (2Т316А-5). 

Тип приборов 2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д, КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д указывается на корпусе, тип 2Т316А-5 указывается в этикетке. 

Масса транзистора 

   - не более 0,5 г в пластмассовом корпусе, 

   - не более 0,002 г в кристалле.

Тип корпуса: КТ-1-7.

Технические условия: СБ0.336.019 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т316Б:

• Структура транзистора: n-p-n

• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 800 МГц;

• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 10 В (3кОм);

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;

• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 40...120;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 3 пФ;

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 40 Ом