Транзисторы 2Т368Б9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для использования во входных и последующих каскадах усилителей высокой частоты.
Транзисторы 2Т368А, 2Т368Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более 1 г.
Тип корпуса: КТ-1-12.
Технические условия: СБ0.336.051 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т368Б9:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 225 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 900 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 50...300;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 15 пс
| Характеристики |
| Масса, г |
1 |
| Тип корпуса |
КТ-1-12 |
