Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты, импульсных и переключающих устройствах герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные на металлическом кристаллодержателе 2Т388АМ-2 и без кристаллодержателя 2Т388А-2.
Выпускаются в сопроводительной таре с возможностью измерения параметров без извлечения их из тары.
Коллектор электрически соединен с кристаллодержателем.
Тип прибора указывается на корпусе сопроводительной тары.
Масса транзистора не более 0,01 г.
Технические условия: Я53.365.022-02 ТУ.
| Характеристики |
| Масса, г |
0,01 |
