2Т509А(Au)

Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные. 

Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.

Транзисторы 2Т509А, 2Т509Б выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами. 

Тип прибора указывается на корпусе. 

Транзистор 2Т506А-5 выпускается в виде неразделенных кристаллов с контактными площадками на пластине для гибридных интегральных микросхем. 

Тип прибора указывается в этикетке.

Масса транзистора в металлическом корпусе не более 2 г, кристалла не более 0,0066 г.

Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).

Технические условия: аА0.339.318 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т509А:

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,8 Вт;

• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 10 МГц;

• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 600 В;

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2 А;

• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 5 А;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 200 мкА;

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 30... 150;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 40 пФ;

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2 Ом