2Т602Б(Ni)

Транзисторы 2Т602Б кремниевые планарные структуры n-p-n. 

Предназначены для генерирования и усиления сигналов. 

Транзисторы 2Т602А, 2Т602Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. 

Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзисторов не более 5 г.

Тип корпуса: КТЮ-3-9.

Технические условия: И93.365.000 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т602Б:

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,85 Вт;

• Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 2,8 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 150 МГц;

• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 120 В;

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 75 мА;

• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 500 мА;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 70 мкА;

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером:50...200;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 4 пФ;

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 4 Ом;

• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 300 пс