2Т607А-4(Ni)

Транзисторы 2Т607А-4 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. 

Предназначены для применения в генераторах и усилителях в герметизированной аппаратуре. 

Бескорпусные с защитным покрытием. 

Тип прибора указывается в этикетке.

Масса транзистора не более 0,4 г.

Технические условия: Я53.365.008 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т607А-4:

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1,5 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 700 МГц;

• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 40 В;

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 150 мА;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА (30В);

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 4 пФ;

• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 1 Вт на частоте 1 ГГц;

• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 18 пс