2Т608Б(Ni)

Транзисторы 2Т608Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. 

Предназначены для применения в быстродействующих импульсных и высокочастотных устройствах. 

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. 

Тип прибора указывается на боковой поверхности корпуса.

Масса транзистора не более 2 г.

Тип корпуса: КТЮ-3-6.

Технические условия: И93.365.013 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т608Б:

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,5 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;

• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 400 мА;

• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 800 мА;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА (60В);

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 40...160;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ;

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2,5 Ом