2Т630А(Au)

Транзисторы 2Т630А кремниевые планарные структуры n-p-n универсальные. 

Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах, в схемах управления газоразрядной панелью переменного тока, силовых каскадах ключевых стабилизаторов и преобразователей. 

Транзисторы 2Т630А, 2Т630Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Тип прибора указывается на корпусе. 

Транзисторы 2Т630А-5, 2Т630Б-5 выпускается в виде неразделенных кристаллов на пластине с контактными площадками для гибридных интегральных микросхем. 

Тип прибора указывается в этикетке.

Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более 2 г, кристалла не более 0,005 г.

Тип корпуса: КТ-2-7.

Технические условия: ЮФ3.365.043 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т630А:

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,8 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 50 МГц;

• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 120 В;

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 7 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1000 мА;

• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 2000 мА;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА (90В);

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 40... 120;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ;

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2 Ом