2Т634А-2(Ni)

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. 

Предназначены для применения в генераторах и усилителях мощности в диапазоне частот 1...5 ГГц в схеме с общей базой в герметизированной аппаратуре. 

Бескорпусные с защитным покрытием с гибкими выводами на кристаллодержателе. 

Тип прибора указывается в этикетке.

Масса транзистора не более 0,15 г.

Технические условия: аА0.339.045 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т634А-2:

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1,2 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1500 МГц;

• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 50 В;

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 150 мА;

• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 250 мА;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА (30В);

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2,5 пФ;

• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 0,45 Вт на частоте 5 ГГц