2Т637А-2(Ni)

Транзисторы 2Т637А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. 

Предназначены для применения в генераторах и усилителях мощности в схеме с общей базой в герметизированной аппаратуре. 

Бескорпусные с защитным покрытием с гибкими выводами на кристаллодержателе. 

Тип прибора указывается в этикетке.

Масса транзистора не более 0,15 г.

Технические условия: аА0.339.063 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т637А-2:

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1,5 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1300 МГц;

• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В;

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2,5 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 200 мА;

• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 300 мА;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,1 мА (30В);

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 30...90;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 4,5 пФ;

• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 0,4 Вт на частоте 3 ГГц;

• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 3 пс