2Т640А-2(Ni)

Транзисторы 2Т640А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. 

Предназначены для применения в усилительных и генераторных устройствах в диапазоне частот 1...7,2 ГГц в схеме ОБ в составе гибридных интегральных микросхем. 

Транзисторы 2Т640А-2, 2Т640А1-2 бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами.

На транзисторы наносится условная маркировка: 

  - 2Т640А-2 - черная точка, 

  - 2Т640А1-2 - черный знак «Т». 

Транзистор 2Т640А-5 выпускается в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов. 

Транзистор 2Т640А-6 выпускается в виде кристаллов с контактными площадками на кристаллодержателе и без выводов, маркируется черной точкой. 

Тип прибора указывается на этикетке.

Масса транзистора: 

  - бескорпусного не более 0,2 г, 

  - кристалла не более 0,0002 г, 

  - кристалла на кристаллодержателе не более 0,008 г.

Тип корпуса: КТ-22.

Технические условия: аА0.339.047 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т640А-2:

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,6 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 2100 МГц;

• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 25 В;

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 60 мА;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мА (25В);

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 15;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1,3 пФ;

• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 0,1 Вт на частоте 7 ГГц;

• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 0,6 пс