2Т642А-2(Ni)

Транзисторы 2Т642А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. 

Предназначены для применения в усилителях и генераторах в диапазоне частот 1...8,15 ГГц в схеме с общей базой в составе гибридных микросхем, блоков и аппаратуры, обеспечивающих герметизацию. 

Транзисторы 2Т642А-2, 2Т640А1-2, 2Т642Б1-2 бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами.

Маркируются белой точкой. 

Транзисторы 2Т642А-5, 2Т642А1-5 выпускается в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов для гибридных интегральных микросхем. 

Тип прибора указывается на этикетке.

Масса транзистора бескорпусного не более 0,2 г, кристалла не более 0,0002 г.

Тип корпуса: КТ-22.

Технические условия: аА0.339.112 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т642А-2:

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 500 мВт;

• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В;

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 60 мА;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,1 мА (20В);

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1,1 пФ;

• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 0,1 Вт на частоте 8 ГГц