2Т647А-2(Ni)

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. 

Предназначены для применения в генераторах и усилителях диапазона частот 1...10 ГГц в схеме с общей базой при напряжении питания 15 В.

Транзисторы 2Т647А-2, 2Т647Б-2, КТ647А-2 бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами. 

На крышку транзистора наносится условная маркировка: 

   - 2Т647А-2 - две красные точки, 

   - КТ647А-2 - одна красная точка. 

Транзисторы 2Т647А-5 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов для гибридных интегральных микросхем. 

Тип прибора указывается на этикетке.

Масса бескорпусного транзистора не более 0,2 г, кристалла не более 0,0002 г.

Тип корпуса: КТ-22.

Технические условия: аА0.339.165 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т647А-2:

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 560 мВт;

• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 18 В;

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 90 мА;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (18В);

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1,5 пФ;

• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 0,2 Вт на частоте 10 ГГц