2Т825А(Ni)

Транзисторы 2Т825А кремниевые мезапланарные структуры p-n-p усилительные. 

Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. 

Транзисторы 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. 

Тип прибора указывается на корпусе. 

Транзистор 2Т825А-5 выпускается в виде кристаллов неразделенных на пластине с контактными площадками для гибридных интегральных микросхем. 

Тип прибора указывается в этикетке.

Масса транзистора:

   - в металлическом корпусе не более 20 г, 

   - кристалла не более 0,025 г.

Тип корпуса: КТ-9 (ТО-3).

Технические условия: аА0.339.054 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т825А:

• Структура транзистора: p-n-p;

• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 125 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц;

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А;

• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 40 А;

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 500...18000;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 600 пФ;

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,4 Ом