2Т830В(Ni)

Транзисторы 2Т830В кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p. 

Предназначены для применения в усилителях мощности, источниках вторичного электропитания, преобразователях. 

Корпус транзистора 2Т830А, 2Т830Б, 2Т830В, 2Т830Г металлический со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.

Масса транзистора не более 2 г.

Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).

Технические условия: аА0.339.139 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т830В:

• Структура транзистора: p-n-p;

• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 5 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц;

• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 80 В;

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2 А;

• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 4 А;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 100 мкА (80В);

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 25;

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,2 Ом