Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, преобразователях.
Корпус транзистора 2Т831А, 2Т831Б, 2Т831В, 2Т831Г металлический со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.
Масса транзисторов не более 2 г.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Технические условия: аА0.339.140 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т831Г:
- Структура транзистора: n-p-n;
- Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 5 Вт;
- fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц;
- Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 100 В;
- Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
- Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2 А;
- h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 20;
- Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,6 Ом
| Характеристики |
| Масса, г |
2 |
| Тип корпуса |
КТ-2-7 |
