Транзисторы кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные.
Транзисторы 2Т837А, 2Т837Б, 2Т837В, 2Т837Г, 2Т837Д, 2Т837Е предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Тип корпуса: КТ-28-2.
Технические условия: аА0.339.411 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т837Г:
- Структура транзистора: p-n-p;
- Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт;
- fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц;
- Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 80 В;
- Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
- Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 8 А;
- Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,15 мА;
- h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 15... 120;
- Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,8 Ом
| Характеристики |
| Масса, г |
2.5 |
| Технические условия |
аА0.339.411 ТУ |
| Тип корпуса |
КТ-28-2 |
