2Т844А (NI)

Транзисторы 2Т844А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. 

Предназначены для применения в переключающих и импульсных устройствах. 

Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. 

Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 20 г.

Тип корпуса: КТ-9 (ТО-3).

Технические условия: аА0.339.340 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т844А:

• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 7,2 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 250 В (0.01кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 20 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 3 мА (250В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 50;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 300 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,4 Ом;
• tрас - Время рассасывания: не более 2000 нс