2Т856Б (NI)

Транзисторы 2Т856Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. 

Предназначены для применения в переключающих устройствах. 

Транзисторы 2Т856А, 2Т856Б, 2Т856В, 2Т856Г выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами. 

Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 16 г,

Тип корпуса: КТ-9 (ТО-3).

Технические условия: аА0.339.383 ТУ

Основные технические характеристики транзистора 2Т856Б:

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 75 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 10 МГц;

• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 800 В;

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А;

• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 12 А;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 3 мА (700В);

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 60;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 100 пФ;

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом