2Т862Б (NI)

Транзисторы 2Т862Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. 

Предназначены для применения в схемах импульсных модуляторов, вторичных источниках электропитания, переключающих устройствах.

Транзисторы 2Т862Б, 2Т862В, 2Т862Г выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами типа КТ-57. 

Транзистор 2Т862А в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами типа КТ-9. 

Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора в металлокерамическом корпусе не более 6 г, в металлическом - не более 20 г.

Технические условия: аА0.339.571 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т862Б:

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 20 МГц;

• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 450 В;

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А;

• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 25 А;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 2,5 мА (300В);

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 100;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 300 пФ;

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,13 Ом;

• tрас - Время рассасывания: не более 1500 нс