2Т888А (AU)

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. 

Транзисторы 2Т888А, 2Т888Б предназначены для применения в преобразователях, модуляторах, стабилизаторах напряжения вторичных источников электропитания. 

Выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами и стеклянными изоляторами. 

Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 2 г.

Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).

Технические условия: аА0.339.782ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т888А:

• Структура транзистора: p-n-p;

• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,8 Вт;

• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 7 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 15 МГц;

• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 900 В;

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 7 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 100 мА;

• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 200 мА;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мА (900В);

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 30... 120;

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 50 Ом;

• tрас - Время рассасывания: не более 3 мкс