2Т909А (NI)

Транзисторы 2Т909А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. 

Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100...500 МГц при напряжении питания 28 В. 

Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом. 

Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 4 г.

Тип корпуса: КТ-15.

Технические условия: И93.365.018 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т909А:

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 27 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 360 МГц;

• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 60 В (0,01кОм);

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3,5 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2 А;

• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 25 мА (60В);

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 30 пФ;

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом;

• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 17 Вт на частоте 500 МГц;

• tрас - Время рассасывания: не более 20 нс