2Т9109А (NI)

Транзистор 2Т9109А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n генераторный. 

Предназначен для применения в импульсных усилителях мощности в схеме с общей базой в полосе частот 720...820 МГц при напряжении питания 50 В. 

Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами. 

Транзистор содержит внутреннее LС-звено. 

Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 6 г.

Тип корпуса: КТ-42.

Технические условия: аА0.339.546 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т9109А:

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 1120 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 360 МГц;

• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 65 В;

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;

• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 29 А;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 60 мА (65В);

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 140 пФ;

• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 3,5 дБ на частоте 820 МГц;

• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 500 Вт на частоте 820 МГц;

• tрас - Время рассасывания: не более 10 нс