ban

2Т9161АС (NI)

Артикул: 0009137

Цена по запросу


Цены на сайте указаны без НДС

В наличии

Транзисторная сборка 2Т9161АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов. 

Предназначена для применения в двухтактных импульсных усилителях мощности и генераторах в схеме с общей базой в диапазоне частот 200...500 МГц при напряжении питания 45 В. 

Выпускается в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. 

Тип прибора указывается на корпусе.

Масса сборки не более 7 г.

Тип корпуса: КТ-44.

Технические условия: АЕЯР.432150.093 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т9161АС:

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 700 Вт;

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 25 А;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 280 мА (60В);

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 20;

• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 7 дБ на частоте 0,5 ГГц;

• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 500 Вт на частоте 0,5 ГГц

Характеристики
Масса, г 7
Технические условия АЕЯР.432150.093 ТУ.
Тип корпуса КТ-44

Написать отзыв

Внимание: HTML не поддерживается! Используйте обычный текст!
    Плохо           Хорошо
Captcha