2Т919А (NI)

Транзисторы 2Т919А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. 

Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах в СВЧ диапазоне 0,7...2,4 ГГц в схеме с общей базой. 

Выпускаются: 

  - 2Т919А, 2Т919Б, 2Т919В в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами, 

  - 2Т919А-2, 2Т919Б-2, 2Т919В-2 бескорпусные, с гибкими выводами на кристаллодержателе. 

Условное обозначение транзисторов: 

  - 2Т919А - буква «А» и зеленая точка, 

  - 2Т919Б - буква «Б» и черная точка, 

  - 2Т919В - буква «В» и белая точка, 

  - 2Т919А-2 - черная точка, 

  - 2Т919Б-2 - красная точка, 

  - 2Т919В-2 - белая точка. 

Тип прибора указывается в этикетке. 

Основные технические характеристики транзистора 2Т919А:

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 1350 МГц;

• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В;

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3,5 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,7 А;

• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 1,5 А;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мА (45В);

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 10 пФ;

• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 3,5 Вт на частоте 2 ГГц;

• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 2,2 пс