2Т920В (NI)

Транзисторы 2Т920В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. 

Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 50...200 МГц при напряжении питания 12,6 В. 

Выпускаются в металлокерамическом корпусе с плоскими выводами и монтажным винтом. 

Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 4,5 г.

Тип корпуса: КТ-17.

Технические условия: И93.365.028 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т920В:

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 25 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 400 МГц;

• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 36 В;

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3 А;

• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 7 А;

• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 5 мА (36В);

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 75 пФ;

• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 3 дБ;

• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 20 Вт на частоте 175 МГц;

• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 20 пс