2Т925В (NI)

Транзисторы 2Т925В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. 

Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 200...400 МГц при напряжении питания 12,6 В. 

Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом. 

Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 4,5 г.

Тип корпуса: КТ-17.

Технические условия: И93.365.031 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т925В:

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 25 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 500 МГц;

• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 36 В (0,1кОм);

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3,5 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3,3 А;

• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 8,5 А;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 30 мА (36В);

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 17;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 60 пФ;

• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 3 дБ;

• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 20 Вт на частоте 320 МГц;

• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 40 пс