ban

2Т928Б (AU)

Артикул: 0009067

Цена по запросу


Цены на сайте указаны без НДС

В наличии

Транзисторы 2Т928Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные. 

Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах. 

Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.

Масса транзистора не более 3 г.

Тип корпуса: КТ-2-7.

Технические условия: Я53.365.034 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т928Б:

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,5 Вт;

• Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 2 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 300 МГц;

• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,8 А;

• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 1,2 А;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА (60В);

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 50... 200;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 10 пФ;

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,3 Ом;

• tрас - Время рассасывания: не более 250 нс

Характеристики
Масса, г 6
Технические условия И93.365.015 ТУ
Тип корпуса КТ-4

Написать отзыв

Внимание: HTML не поддерживается! Используйте обычный текст!
    Плохо           Хорошо
Captcha