2Т958А (NI)

Транзисторы 2Т958А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. 

Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 50...200 МГц при напряжении питания 12,6 В. 

Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. 

Внутри корпуса имеется согласующее LC-звено. 

Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 7 г.

Тип корпуса: КТ-32.

Технические условия: аА0.339.137 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т958А:

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 85 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 300 МГц;

• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 36 В (0,01кОм);

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А;

• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 15 мА (36В);

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 10;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 180 пФ;

• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 4 дБ;

• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 40 Вт на частоте 175 МГц;

• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 12 пс