2Т979А (AU)

Транзистор  2Т979А  кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n генераторный. 

Предназначен для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах в схеме с общей базой на частотах 0,7...1,4 ГГц при напряжении питания 28 В в непрерывном режиме и 35...40 В в импульсном режиме. 

Выпускается в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом. 

Внутри корпуса имеются согласующие двухзвенные LС-звенья на входе и выходе транзистора. 

Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 5 г.

Тип корпуса: КТ-57.

Технические условия: аА0.339.333 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора  2Т979А :

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 75 Вт;

• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 50 В;

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3,5 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора:  5 А;

• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 10 А;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 100 мА (50В);

• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 6 дБ;

• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 50 Вт на частоте 1,3 ГГц