2Т991АС (NI)

Сборки 2Т991АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов. 

Предназначены для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности в схеме с общей базой в полосе частот 350...700 МГц при напряжении питания 28 В. 

Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. 

Тип сборки указывается на корпусе.

Масса сборки не более 10 г.

Тип корпуса: КТ-44.

Технические условия: аА0.339.437 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т991АС:

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 67.5 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 540 МГц;

• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 50 В;

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;

• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 3,75 А;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 50 мА (50В);

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 75 пФ;

• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 6 дБ;

• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 55 Вт на частоте 0,7 ГГц;

• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 6,8 пс