КП307Ж (NI)

Транзисторы КП307Ж кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. 

Предназначены для применения во входных и выходных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением.

Транзисторы КП307Ж в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. 

Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 0,5 г.

Основные технические характеристики транзистора КП307Ж:

• Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом;

• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 250 мВт;

• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: не более 7 В;

• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В;

• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 27 В;

• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 27 В;

• Iс - Ток стока (постоянный): 25 мА

• Iс нач - Начальный ток стока: не более 25 мА;

• S - Крутизна характеристики: 4... 14 мА/В (10В);

• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 5 пФ;

• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 1,5 пФ